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응용 프로그램은 시험 및 인터뷰 시간에 빠른 학습, 수정, 참조를 위해 설계되었습니다.
이 앱은 대부분의 관련 주제와 모든 기본 주제에 대한 자세한 설명을 다룹니다.
MOS IC 및 기술의 114개 주제를 자세히 다룹니다. 이 114개의 주제는 8개의 단위로 나뉩니다.
이 응용 프로그램에서 다루는 주제 중 일부는 다음과 같습니다.
1. 무어의 법칙.
2. 사용 가능한 기술의 비교
3. 기본 MOS 트랜지스터
4. 향상 모드 트랜지스터 동작:
5. NMOS 제작:
6. CMOS 제조 - P-WELL 공정
7. CMOS 제조-N-웰 프로세스:
8. CMOS 제조-Twin-tub 공정
9. Bi-CMOS 기술: - (바이폴라 CMOS):
10. 전자빔 마스크 생산
11. MOS 트랜지스터 소개
12. 고정 Vds에 대한 Vgs와 Id 간의 관계
13. MOS 방정식(기본 DC 방정식):
14. 2차 효과
15. CMOS 인버터 특성
16. 인버터 DC 특성
17. 인버터 DC 특성의 그래픽 유도
18. 노이즈 마진
19. 정적 부하 MOS 인버터
20. 전송 게이트
21. 삼상태 인버터
22. 스틱 다이어그램 - NMOS 프로세스를 위한 인코딩
23. CMOS 공정을 위한 인코딩
24. BJT 및 MOSFET을 위한 인코딩
25. NMOS와 CMOS 디자인 스타일
26. 설계 규칙 - MOS IC 및 기술
27. 경유
28. CMOS 람다 기반 설계 규칙
29. 궤도 2um CMOS 공정
30. 저항 추정.
31. 모스 트랜지스터의 면저항
32. 캐패시턴스 추정
33. 지연
34. 인버터 지연
35. 지연의 공식 추정
36. 대용량 부하 구동
37. f의 최적값
38. 슈퍼 버퍼
39. 빅모스 드라이버
40. 전파지연
41. 기타 정전용량 소스
42. 레이어 선택
43. mos 장치의 확장
44. 기본 물리적 설계 개요
45. 기본 물리적 설계 개요
46. 기본 게이트의 개략도 및 레이아웃 - 인버터 게이트
47. 기본 게이트의 개략도 및 레이아웃-NAND 및 NOR 게이트
48. 전송 게이트
49. CMOS 표준 셀 설계
50. 성능을 위한 레이아웃 최적화
51. 일반 레이아웃 지침
52. 빅모스 로직
53. 의사 nmos 논리
54. 유사 nmos - 다중 드레인 로직 및 갱지드 로직의 다른 변형
55. 유사 nmos의 다른 변형 - 동적 cmos 논리
56. 유사 nmos-CLOCKED CMOS LOGIC(C2MOS)의 다른 변형
57. CMOS 도미노 로직
58. 캐스케이드 전압 스위치 로직
59. 패스 트랜지스터 로직
60. CMOS 기술 논리 회로 구조
61. MOS 회로의 스케일링
62. 기술 확장
63. 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)
64. 장치 매개변수에 대한 스케일링 모델 및 스케일링 계수
65. 확장의 의미
66. 상호 연결 문제
67. 도달 가능한 반경
68. 동적 및 정적 전력
69. 생산성과 물리적 한계
70. 스케일링의 한계
71. 기판 도핑
72. 공핍 폭
73. 소형화의 한계
74. 인터커넥트와 접촉 저항의 한계
75. 하위 임계값 전류로 인한 한계
76. 하위 임계값 전류로 인한 한계
77. 시스템
78. VLSI 설계 흐름
79. 3 구조적 디자인 접근
80. 규칙성
81. 스위치로서의 MOSFET
82. 스위치의 병렬 및 직렬 연결
83. CMOS 인버터
84. NAND 게이트 설계
85. NOR 게이트 설계
86. CMOS 속성
87. 복잡한 게이트
88. 복잡한 게이트 AOI
글자 수 제한으로 인해 모든 항목이 나열되지 않습니다.
각 주제는 더 나은 학습과 빠른 이해를 위해 다이어그램, 방정식 및 기타 형태의 그래픽 표현으로 완성됩니다.
특징 :
* 장 현명한 완전한 주제
* 풍부한 UI 레이아웃
* 편안한 읽기 모드
* 중요한 시험 주제
* 매우 간단한 사용자 인터페이스
* 대부분의 주제를 다룹니다.
* 한 번의 클릭으로 관련 전체 도서 가져오기
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MOS IC 및 기술의 114개 주제를 자세히 다룹니다. 이 114개의 주제는 8개의 단위로 나뉩니다.
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1. 무어의 법칙.
2. 사용 가능한 기술의 비교
3. 기본 MOS 트랜지스터
4. 향상 모드 트랜지스터 동작:
5. NMOS 제작:
6. CMOS 제조 - P-WELL 공정
7. CMOS 제조-N-웰 프로세스:
8. CMOS 제조-Twin-tub 공정
9. Bi-CMOS 기술: - (바이폴라 CMOS):
10. 전자빔 마스크 생산
11. MOS 트랜지스터 소개
12. 고정 Vds에 대한 Vgs와 Id 간의 관계
13. MOS 방정식(기본 DC 방정식):
14. 2차 효과
15. CMOS 인버터 특성
16. 인버터 DC 특성
17. 인버터 DC 특성의 그래픽 유도
18. 노이즈 마진
19. 정적 부하 MOS 인버터
20. 전송 게이트
21. 삼상태 인버터
22. 스틱 다이어그램 - NMOS 프로세스를 위한 인코딩
23. CMOS 공정을 위한 인코딩
24. BJT 및 MOSFET을 위한 인코딩
25. NMOS와 CMOS 디자인 스타일
26. 설계 규칙 - MOS IC 및 기술
27. 경유
28. CMOS 람다 기반 설계 규칙
29. 궤도 2um CMOS 공정
30. 저항 추정.
31. 모스 트랜지스터의 면저항
32. 캐패시턴스 추정
33. 지연
34. 인버터 지연
35. 지연의 공식 추정
36. 대용량 부하 구동
37. f의 최적값
38. 슈퍼 버퍼
39. 빅모스 드라이버
40. 전파지연
41. 기타 정전용량 소스
42. 레이어 선택
43. mos 장치의 확장
44. 기본 물리적 설계 개요
45. 기본 물리적 설계 개요
46. 기본 게이트의 개략도 및 레이아웃 - 인버터 게이트
47. 기본 게이트의 개략도 및 레이아웃-NAND 및 NOR 게이트
48. 전송 게이트
49. CMOS 표준 셀 설계
50. 성능을 위한 레이아웃 최적화
51. 일반 레이아웃 지침
52. 빅모스 로직
53. 의사 nmos 논리
54. 유사 nmos - 다중 드레인 로직 및 갱지드 로직의 다른 변형
55. 유사 nmos의 다른 변형 - 동적 cmos 논리
56. 유사 nmos-CLOCKED CMOS LOGIC(C2MOS)의 다른 변형
57. CMOS 도미노 로직
58. 캐스케이드 전압 스위치 로직
59. 패스 트랜지스터 로직
60. CMOS 기술 논리 회로 구조
61. MOS 회로의 스케일링
62. 기술 확장
63. 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)
64. 장치 매개변수에 대한 스케일링 모델 및 스케일링 계수
65. 확장의 의미
66. 상호 연결 문제
67. 도달 가능한 반경
68. 동적 및 정적 전력
69. 생산성과 물리적 한계
70. 스케일링의 한계
71. 기판 도핑
72. 공핍 폭
73. 소형화의 한계
74. 인터커넥트와 접촉 저항의 한계
75. 하위 임계값 전류로 인한 한계
76. 하위 임계값 전류로 인한 한계
77. 시스템
78. VLSI 설계 흐름
79. 3 구조적 디자인 접근
80. 규칙성
81. 스위치로서의 MOSFET
82. 스위치의 병렬 및 직렬 연결
83. CMOS 인버터
84. NAND 게이트 설계
85. NOR 게이트 설계
86. CMOS 속성
87. 복잡한 게이트
88. 복잡한 게이트 AOI
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